3月11日，在省長劉國中主持召開的省政府第六次常務(wù)會(huì)議上，研究了2019年度省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)工作。會(huì)議決定，授予楊紹卿、安芷生、郝躍三位院士2019年度陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)，對(duì)“復(fù)雜疾病相關(guān)模式發(fā)現(xiàn)理論與方法研究”等260個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì)。

　　>>楊紹卿院士

　　楊紹卿，1941年生。外彈道學(xué)與靈巧(智能)彈藥武器系統(tǒng)工程技術(shù)專家。遼寧省康平縣人。1967年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系，1981～1984年在美國TexasA﹠M大學(xué)研修飛行器控制工程?，F(xiàn)任中國兵器工業(yè)第二〇三研究所研究員、中國兵器工業(yè)首席專家、國家靈巧彈藥工程型號(hào)總設(shè)計(jì)師、中國人民解放軍原總裝備部槍炮彈箭專家組顧問、國務(wù)院中央軍委軍工產(chǎn)品定型專家咨詢委員會(huì)委員。

　　長期從事外彈道學(xué)與靈巧(智能)彈藥武器系統(tǒng)的理論和工程技術(shù)工作，是我國野戰(zhàn)火箭散布、穩(wěn)定性和偏差修正理論體系及末敏彈系統(tǒng)理論和工程設(shè)計(jì)方法體系的主要?jiǎng)?chuàng)建者之一，我國末敏彈技術(shù)與裝備領(lǐng)域的主要開拓者和奠基人之一。主持研制成功我軍第一個(gè)火箭末敏彈裝備和炮射末敏彈裝備。獲國家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和省部級(jí)科技進(jìn)步一、二等獎(jiǎng)及發(fā)明專利多項(xiàng)，并獲國務(wù)院政府特殊津貼、全國國防系統(tǒng)勞動(dòng)模范、全國優(yōu)秀科技工作者、國防科技工業(yè)杰出人才、光華科技獎(jiǎng)、何梁何利科技獎(jiǎng)、全國創(chuàng)新先進(jìn)工作者及俄羅斯國家莫欣科技獎(jiǎng)等榮譽(yù)。著有《火箭彈散布和穩(wěn)定性理論》《火箭外彈道偏差與修正理論》《末敏彈系統(tǒng)理論》和《靈巧彈藥工程》等。

　　2011年當(dāng)選為中國工程院院士。

　　>>安芷生院士

　　安芷生，男，安徽六安人，1941年生。中國科學(xué)院地球環(huán)境研究所研究員，美國地球物理聯(lián)合會(huì)(AGU)會(huì)士。1962年南京大學(xué)地質(zhì)系畢業(yè)。1966年中國科學(xué)院地質(zhì)所、地球化學(xué)研究所研究生畢業(yè)。1991年當(dāng)選中國科學(xué)院院士。

　　安芷生在實(shí)證基礎(chǔ)上突破經(jīng)典冰期一間冰期理論，創(chuàng)新性提出環(huán)境變化的季風(fēng)控制論，開辟了第四紀(jì)科學(xué)與全球變化相融合的研究方向，引領(lǐng)了20世紀(jì)80年代以來亞洲過去全球變化研究。安芷生作為全球季風(fēng)動(dòng)力學(xué)理論的奠基人，在科學(xué)方向引領(lǐng)、人才培養(yǎng)和機(jī)構(gòu)建設(shè)方面成績斐然，為推動(dòng)地球系統(tǒng)科學(xué)發(fā)展做出了卓越持久的貢獻(xiàn)，得到了國際學(xué)術(shù)界廣泛認(rèn)可。他還將基礎(chǔ)研究成果積極應(yīng)用于生態(tài)環(huán)境治理，為我國西部生態(tài)環(huán)境修復(fù)和城市大氣污染治理戰(zhàn)略制定做出了重要貢獻(xiàn)。

　　>>郝躍院士

　　郝躍，男，安徽省阜陽人，1958年3月生于重慶市。微電子學(xué)專家，微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士生導(dǎo)師。1982年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，1991年在西安交通大學(xué)計(jì)算數(shù)學(xué)專業(yè)獲博士學(xué)位。現(xiàn)任九三學(xué)社第十四屆中央委員會(huì)常委和九三學(xué)社陜西省委主委、中國電子學(xué)會(huì)副理事長、國際IEEE學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員。2013年當(dāng)選中國科學(xué)院院士。

　　郝躍自20世紀(jì)90年代開始從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，開拓和引領(lǐng)了我國第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體電子材料與器件的發(fā)展，攻克研制出高質(zhì)量材料生長的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了最高效率的氮化鎵微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化鎵LED器件，創(chuàng)建了我國第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延生長、器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝的理論與技術(shù)體系，使我國在氮化物第三代半導(dǎo)體電子器件步入國際領(lǐng)先行列。 華商報(bào)記者 馬虎振